有利蓄电池性能特点:
一 电池结构1电解液固定方式:电解液由气体二氧化硅及多种添加剂以胶体形式固定.注入时为液态,可充满电池内的所有空间。
2极柱密封方式:多层耐酸橡胶圈滑动式密封,保证了使用寿命后期极群生长时的密封。
3 极板:铅钙锡无锑多元合金,管式正极板管芯可采用高压压铸工艺生产,晶格细小均匀,耐腐蚀性好,电池的使用寿命长。
二 电池性能1浮充性能:由于电解液比重低,浮充电压相对也比较低另外胶体的散热性也远优于玻璃棉,绝无热失控事故,浮充寿命长。
2深循环性能:特殊的含磷酸胶体和含锡正极板合金,电池的循环性能和深放电恢复能力优越。
3自放电:由于选用的材料纯度高,电解液比重低,电池的自放电率为0.05-0.06%/天,电池常温下可储存二年无须补充充电。
4电解液的层化:硫酸被胶体均匀地固化分布,绝无浓度层化问题,电池可竖直或水平任意放置。
当前器件性能水平完全能够满足新电路结构提出的更高要求
在无变压器UPS中,对器件性能要求高的环节主要是半桥式逆变器,而关键的参数又是功率开关器件IGBT的耐压(UCES)和输出电流(有效值和峰值)能力,IGBT的输出能力完全可以满足400~500kVA的大功率无输出变压器UPS。
值得注意的是,在无变压器UPS的半桥逆变电路中,输出电压是由±400V直流母线电压直接形成的,输入电流有效值等于输出电流有效值。
而传统的带变压器UPS是通过输出变压器升压形成的,在升压比为1:1.9或1:1.78时,同时考虑三角形/星形接法输出电流有效值是输入有效值的1.73倍,所以全桥逆变器输入电流有效值是输出电流有效值的1.9/1.73=1.1(或1.78/1.73=1.03)倍。
数据说明,对同样输出功率的UPS,无输出变压器UPS对IGBT的电流输出能力的要求并不比传统的带输出变压器UPS高。
也就是说,从IGBT地电流输出能力来看,能做多大功率的带输出变压器UPS,就可以做多大输出功率的无输出变压器UPS。
与带输出变压器UPS相比,无输出变压器UPS的逆变器对IGBT的耐压提出了更高的要求。
在带输出变压器UPS的全桥逆变器中,IGBT的耐压就是直流母线电压,一般为400多伏,而在无输出变压器UPS地输出半桥逆变器中,直流母线电压是±400V,要求IGBT的耐压要大于800V。
虽然当前的器件耐压1200V已不成问题,但此要求不仅仅是静态耐压问题,更严重的是IGBT地开关电压变化率(du/dt)和开关损耗问题,因而这是电路设计和器件选择时必须重视和解决的问题。
有利蓄电池6-GFM-100 12V100AH直流屏专用有利蓄电池6-GFM-100 12V100AH直流屏专用有利蓄电池6-GFM-100 12V100AH直流屏专用2极柱密封方式:多层耐酸橡胶圈滑动式密封,保证了使用寿命后期极群生长时的密封。
3 极板:铅钙锡无锑多元合金,管式正极板管芯可采用高压压铸工艺生产,晶格细小均匀,耐腐蚀性好,电池的使用寿命长。
二 电池性能1浮充性能:由于电解液比重低,浮充电压相对也比较低另外胶体的散热性也远优于玻璃棉,绝无热失控事故,浮充寿命长。
2深循环性能:特殊的含磷酸胶体和含锡正极板合金,电池的循环性能和深放电恢复能力优越。
3自放电:由于选用的材料纯度高,电解液比重低,电池的自放电率为0.05-0.06%/天,电池常温下可储存二年无须补充充电。
4电解液的层化:硫酸被胶体均匀地固化分布,绝无浓度层化问题,电池可竖直或水平任意放置。
当前器件性能水平完全能够满足新电路结构提出的更高要求
在无变压器UPS中,对器件性能要求高的环节主要是半桥式逆变器,而关键的参数又是功率开关器件IGBT的耐压(UCES)和输出电流(有效值和峰值)能力,IGBT的输出能力完全可以满足400~500kVA的大功率无输出变压器UPS。
值得注意的是,在无变压器UPS的半桥逆变电路中,输出电压是由±400V直流母线电压直接形成的,输入电流有效值等于输出电流有效值。
而传统的带变压器UPS是通过输出变压器升压形成的,在升压比为1:1.9或1:1.78时,同时考虑三角形/星形接法输出电流有效值是输入有效值的1.73倍,所以全桥逆变器输入电流有效值是输出电流有效值的1.9/1.73=1.1(或1.78/1.73=1.03)倍。
数据说明,对同样输出功率的UPS,无输出变压器UPS对IGBT的电流输出能力的要求并不比传统的带输出变压器UPS高。
也就是说,从IGBT地电流输出能力来看,能做多大功率的带输出变压器UPS,就可以做多大输出功率的无输出变压器UPS。
与带输出变压器UPS相比,无输出变压器UPS的逆变器对IGBT的耐压提出了更高的要求。
在带输出变压器UPS的全桥逆变器中,IGBT的耐压就是直流母线电压,一般为400多伏,而在无输出变压器UPS地输出半桥逆变器中,直流母线电压是±400V,要求IGBT的耐压要大于800V。
虽然当前的器件耐压1200V已不成问题,但此要求不仅仅是静态耐压问题,更严重的是IGBT地开关电压变化率(du/dt)和开关损耗问题,因而这是电路设计和器件选择时必须重视和解决的问题。